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STW58N60DM2AG

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STW58N60DM2AG
Descripción: MOSFET N-CH 600V 50A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Número de pieza base STW58N
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 360W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 90nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4100pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.00 $9.80 $9.60
Mínimo: 1

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