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STW56N65M2-4

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STW56N65M2-4
Descripción:	MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ M2
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-4
Número de pieza base	STW56N
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	62mOhm @ 24.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	358W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247-4L
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	93nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3900pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V