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STS3P6F6

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STS3P6F6
Descripción: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base STS3P
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.4nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 340pF @ 48V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2180 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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