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STQ1HN60K3-AP

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STQ1HN60K3-AP
Descripción:	MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	SuperMESH3™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Número de pieza base	STQ1
Vgs(th) (Max) - Id	4.5V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	8Ohm @ 600mA, 10V
Disipación de energía (máx.)	3W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-92-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	9.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	140pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	400mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V