La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

STP42N60M2-EP

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STP42N60M2-EP
Descripción:	MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ M2-EP
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Número de pieza base	STP42N
Vgs(th) (Max) - Id	4.75V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	87mOhm @ 17A, 10V
Disipación de energía (máx.)	250W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	55nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2370pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V