STP35N60DM2
Fabricantes: | STMicroelectronics |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | STP35N60DM2 |
Descripción: | MOSFET N-CH 600V 28A |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | STMicroelectronics |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | MDmesh™ DM2 |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±25V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Número de pieza base | STP35N |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 210W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 54nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2400pF @ 100V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 28A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 2 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$4.87 | $4.77 | $4.68 |
Mínimo: 1