La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

STP26N60DM6

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STP26N60DM6
Descripción:	N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ DM6
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Número de pieza base	STP26N
Vgs(th) (Max) - Id	4.75V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	195mOhm @ 9A, 10V
Disipación de energía (máx.)	130W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	24nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	940pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V