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STP18N60DM2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STP18N60DM2
Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ DM2
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Número de pieza base STP18N
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 295mOhm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 90W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 800pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 30 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.56 $2.51 $2.46
Mínimo: 1

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