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STP11N60DM2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	STP11N60DM2
Descripción:	N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ DM2
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Número de pieza base	STP11N
Vgs(th) (Max) - Id	5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	420mOhm @ 5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	110W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	16.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	614pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V