La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

STP110N10F7

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STP110N10F7
Descripción: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Número de pieza base STP110
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7mOhm @ 55A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5500pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.42 $2.37 $2.32
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IXTY1R6N50D2
IXYS
$2.18
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
$0
SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
$1.79