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STI10N62K3

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STI10N62K3
Descripción: MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH3™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de pieza base STI10N
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 750mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 42nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 620V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1250pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 950 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.17 $2.13 $2.08
Mínimo: 1

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