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STGYA120M65DF2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: STGYA120M65DF2
Descripción: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie *
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 420nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 625W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3 Exposed Pad
Condición de la prueba 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Número de pieza base STGYA120
Cambio de energía 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 66ns/185ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores MAX247™
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 202ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 160A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 360A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 444 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
Mínimo: 1

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