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STGWT80H65DFB

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: STGWT80H65DFB
Descripción: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 414nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 469W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base STGWT80
Cambio de energía 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 84ns/280ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 85ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 120A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 240A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

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