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STGW80H65DFB-4

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: STGW80H65DFB-4
Descripción: IGBT BIPO 650V 80A TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 414nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 469W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-4
Condición de la prueba 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base STGW80
Cambio de energía 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 84ns/280ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-4L
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 85ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 120A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 240A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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