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STGW30M65DF2

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica:	STGW30M65DF2
Descripción:	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - IGBTs - Single
Serie	-
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Empaquetado	Tube
Tipo de entrada	Standard
Carga de la puerta	80nC
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	258W
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Condición de la prueba	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base	STGW30
Cambio de energía	300µJ (on), 960µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC	31.6ns/115ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247
Vce(on) (Max) á Vge, Ic	2V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr)	140ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)	120A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	650V