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STGW30M65DF2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: STGW30M65DF2
Descripción: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 80nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 258W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base STGW30
Cambio de energía 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 31.6ns/115ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 140ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 120A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 195 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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