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STGB6M65DF2

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: STGB6M65DF2
Descripción: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie M
Tipo IGBT Trench Field Stop
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 21.2nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 88W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condición de la prueba 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Número de pieza base STGB6
Cambio de energía 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 15ns/90ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 140ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 12A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 24A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 82 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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