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STD2HNK60Z-1

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STD2HNK60Z-1
Descripción: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de pieza base STD2HNK
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 45W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 280pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3428 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.24 $1.22 $1.19
Mínimo: 1

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