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STB80NF55-06-1

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STB80NF55-06-1
Descripción: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie STripFET™ II
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de pieza base STB80N
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.) 300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 189nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 973 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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