Image is for reference only , details as Specifications

STB26NM60N

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: STB26NM60N
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de pieza base STB26N
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 140W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 60nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 845 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

STB20N90K5
STMicroelectronics
$0
IXFP6N120P
IXYS
$6.55
STH250N6F3-6
STMicroelectronics
$0
FDP8030L
ON Semiconductor
$6.46
IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
$6.44