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SCTWA50N120
| Fabricantes: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SCTWA50N120 |
| Descripción: | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | +25V, -10V |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-247-3 |
| Número de pieza base | SCTWA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Disipación de energía (máx.) | 318W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | HiP247™ |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 122nC @ 20V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1900pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 65A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
En stock 480 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $35.32 | $34.61 | $33.92 |
Mínimo: 1
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