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SCTW90N65G2V

Fabricantes:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	SCTW90N65G2V
Descripción:	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Número de pieza base	SCTW90
Vgs(th) (Max) - Id	5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Disipación de energía (máx.)	390W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	HiP247™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	157nC @ 18V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3300pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	18V