La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SCTW90N65G2V
| Fabricantes: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | SCTW90N65G2V |
| Descripción: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | +22V, -10V |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-247-3 |
| Número de pieza base | SCTW90 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Disipación de energía (máx.) | 390W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | HiP247™ |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 157nC @ 18V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3300pF @ 400V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 90A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
En stock 87 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $51.98 | $50.94 | $49.92 |
Mínimo: 1
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