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SCT20N120

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT20N120
Descripción: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +25V, -10V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Número de pieza base SCT20
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
Disipación de energía (máx.) 175W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores HiP247™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 650pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

En stock 94 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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