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SCT10N120

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SCT10N120
Descripción: MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) +25V, -10V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Número de pieza base SCT10
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 20V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores HiP247™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 290pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

En stock 233 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.33 $11.10 $10.88
Mínimo: 1

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