SCT10N120
Fabricantes: | STMicroelectronics |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | SCT10N120 |
Descripción: | MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | STMicroelectronics |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | +25V, -10V |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Número de pieza base | SCT10 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V |
Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | HiP247™ |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22nC @ 20V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 290pF @ 400V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
En stock 233 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.33 | $11.10 | $10.88 |
Mínimo: 1