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PD20010-E
| Fabricantes: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ficha técnica: | PD20010-E |
| Descripción: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Ganar | 11dB |
| Serie | - |
| Frecuencia | 2GHz |
| Empaquetado | Tube |
| Estado de la pieza | Active |
| Figura de ruido | - |
| Corriente - Prueba | 150mA |
| Paquete / Caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Potencia - Salida | 10W |
| Voltaje - Prueba | 13.6V |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Voltaje - Clasificado | 40V |
| Número de pieza base | PD20010 |
| Clasificación de corriente (amperios) | 5A |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
En stock 463 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $18.17 | $17.81 | $17.45 |
Mínimo: 1
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