La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRF630

Fabricantes: STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRF630
Descripción: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante STMicroelectronics
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MESH OVERLAY™ II
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Número de pieza base IRF6
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 75W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 700pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 18960 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.09 $1.07 $1.05
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SI4456DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
BSC030P03NS3GAUMA1
Infineon Technologies
$0
TPHR8504PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FDS86240
ON Semiconductor
$0