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RQJ0303PGDQA#H6

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RQJ0303PGDQA#H6
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) +10V, -20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 800mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 3-MPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 625pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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