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RJP65T54DPM-A0#T2

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RJP65T54DPM-A0#T2
Descripción: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 72nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 63.5W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso SC-94
Condición de la prueba 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía 330µJ (on), 760µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 35ns/120ns
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3PFP
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 60A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 53 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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