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RJP65T43DPQ-A0#T2

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoría de producto:	Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica:	RJP65T43DPQ-A0#T2
Descripción:	IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría de producto	Transistors - IGBTs - Single
Serie	-
Tipo IGBT	Trench
Empaquetado	Tube
Tipo de entrada	Standard
Carga de la puerta	69nC
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	150W
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Condición de la prueba	400V, 20A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía	170µJ (on), 130µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC	35ns/105ns
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247A
Vce(on) (Max) á Vge, Ic	2.4V @ 15V, 20A
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	60A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	650V