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RJP60F4DPM-00#T1

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoría de producto:	Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica:	RJP60F4DPM-00#T1
Descripción:	IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría de producto	Transistors - IGBTs - Single
Serie	-
Tipo IGBT	Trench
Empaquetado	Tube
Tipo de entrada	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	41.2W
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-3PFM, SC-93-3
Condición de la prueba	400V, 30A, 5Ohm, 15V
Número de pieza base	RJP60F
Cambio de energía	-
Td (encendido/apagado) a 25oC	45ns/70ns
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-3PFM
Vce(on) (Max) á Vge, Ic	1.82V @ 15V, 30A
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	60A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	600V