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RJM0603JSC-00#12

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: RJM0603JSC-00#12
Descripción: MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Empaquetado Tray
Característica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 54W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 175°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 20-HSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 43nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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