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RJK0856DPB-00#J5

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RJK0856DPB-00#J5
Descripción: MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.9mOhm @ 17.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 65W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores LFPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 40nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3000pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 35A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 66 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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