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RJK03M4DPA-00#J5A

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	RJK03M4DPA-00#J5A
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-WFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	-
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	4.6mOhm @ 17.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-WPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2170pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	35A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V