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RJH65D27BDPQ-A0#T2

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RJH65D27BDPQ-A0#T2
Descripción: IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 175nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 375W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía 1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 20ns/165ns
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247A
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.65V @ 15V, 50A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 80ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 61 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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