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RJH60D5DPK-00#T0

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: RJH60D5DPK-00#T0
Descripción: IGBT 600V 75A 200W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 78nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 200W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 300V, 37A, 5Ohm, 15V
Número de pieza base RJH60D
Cambio de energía 650µJ (on), 400µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 50ns/135ns
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 100ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 75A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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