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RJH60D5BDPQ-E0#T2

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoría de producto:	Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica:	RJH60D5BDPQ-E0#T2
Descripción:	IGBT 600V 75A 200W TO-247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría de producto	Transistors - IGBTs - Single
Serie	-
Tipo IGBT	Trench
Empaquetado	Tube
Tipo de entrada	Standard
Carga de la puerta	78nC
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	200W
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Condición de la prueba	300V, 37A, 5Ohm, 15V
Número de pieza base	RJH60D
Cambio de energía	400µJ (on), 810µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC	50ns/130ns
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247
Vce(on) (Max) á Vge, Ic	2.2V @ 15V, 37A
Tiempo de recuperación inversa (trr)	25ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	75A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	600V