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R1RW0416DSB-2LR#D1

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: R1RW0416DSB-2LR#D1
Descripción: IC SRAM IBIS ASYNC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tube
Tecnología SRAM
Tiempo de acceso 12ns
Tamaño de la memoria 4Mb (256K x 16)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Active
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 44-TSOP II
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 12ns

En stock 86 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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