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R1RW0416DGE-2PR#B0

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: R1RW0416DGE-2PR#B0
Descripción: IC SRAM 4M FAST 44-SOJ
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tube
Tecnología SRAM
Tiempo de acceso 12ns
Tamaño de la memoria 4Mb (256K x 16)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria SRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 44-SOJ
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 12ns

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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