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NP55N055SDG-E1-AY

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NP55N055SDG-E1-AY
Descripción: MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 28A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252 (MP-3ZK)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 96nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4800pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 53 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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