La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

NP160N055TUJ-E1-AY

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NP160N055TUJ-E1-AY
Descripción: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263-7
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 180nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 55V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 10350pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America
$0
2SK3943-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America
$0
NP90N04VUG-E1-AY
Renesas Electronics America
$0
AOT2918L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
TPCC8067-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
$0