La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

NP100P04PDG-E1-AY

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NP100P04PDG-E1-AY
Descripción: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-263
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 320nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 15100pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 98 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

2SK3813-AZ
Renesas Electronics America
$0
2SK3793-AZ
Renesas Electronics America
$0
DMS3016SSSA-13
Diodes Incorporated
$0
PSMN9R0-25YLC,115
NXP USA Inc.
$0
PSMN8R0-30YLC,115
NXP USA Inc.
$0