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N0412N-S19-AY

Fabricantes:	Renesas Electronics America
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	N0412N-S19-AY
Descripción:	MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id	-
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	3.7mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.5W (Ta), 119W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	100nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	5550pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V