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HAT2299WP-EL-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HAT2299WP-EL-E
Descripción: MOSFET N-CH WPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-WPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 15nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 150V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 710pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 14A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 57 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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