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HAT2279HWS-E
| Fabricantes: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | HAT2279HWS-E |
| Descripción: | MOSFET N-PAK 8SOP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Renesas Electronics America |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SC-100, SOT-669 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.3V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 25W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 5-LFPAK |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 60nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 80V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3520pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 30A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 55 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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