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HAT2210RWS-E
| Fabricantes: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | HAT2210RWS-E |
| Descripción: | MOSFET N-PAK 8SOP |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Renesas Electronics America |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 1.5W (Ta) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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