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2SK1058-E

Fabricantes: Renesas Electronics America
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2SK1058-E
Descripción: MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Disipación de energía (máx.) 100W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 160V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

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