2SJ649-AZ
Fabricantes: | Renesas Electronics America |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | 2SJ649-AZ |
Descripción: | MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Renesas Electronics America |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Bulk |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Vgs(th) (Max) - Id | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 Isolated Tab |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 38nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1900pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
En stock 46 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.65 | $1.62 | $1.58 |
Mínimo: 1