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HIP6601BECB-T

Fabricantes: Renesas Electronics America Inc.
Categoría de producto: PMIC - Gate Drivers
Ficha técnica: HIP6601BECB-T
Descripción: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America Inc.
Categoría de producto PMIC - Gate Drivers
Serie -
Tipo de puerta N-Channel MOSFET
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de entrada Non-Inverting
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de canal Synchronous
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Número de pieza base HIP6601B
Voltaje - Suministro 10.8V ~ 13.2V
Número de conductores 2
Configuración impulsada Half-Bridge
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 125°C (TJ)
Tiempo de subida/caída (típico) 20ns, 20ns
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC-EP
Voltaje lógico - VIL, VIH -
Alto voltaje lateral - Máx (Bootstrap) 15V
Corriente - Salida máxima (Fuente, Sumidero) -

En stock 95 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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