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GWS4621L

Fabricantes: Renesas Electronics America Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: GWS4621L
Descripción: MOSFET 2N-CH
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Renesas Electronics America Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 3.6W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-XFLGA, CSP
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.8mOhm @ 3A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 4-WLCSP (1.82x1.82)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 4V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1125pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.1A (Ta)

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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