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US6J11TR

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: US6J11TR
Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 320mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-SMD, Flat Leads
Número de pieza base *J11
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores TUMT6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 290pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.3A

En stock 851 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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