La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
SH8K26GZ0TB
| Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | SH8K26GZ0TB |
| Descripción: | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2W (Ta) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 38mOhm @ 6A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.9nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 280pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A (Ta) |
En stock 54 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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